无磁硅光电探测器THHT-PD-SI-2--THHT-光电系列产品--北京泰和浩天科技有限公司

THHT-光电系列产品

无磁硅光电探测器THHT-PD-SI-2

1.产品描述

无磁硅光电探测器针对微磁探测系统中光信号的采集监测。本产品所有材料均为无磁材料，针对于磁场敏感的应用，不会产生额外的干扰。

2.应用领域

Ø 微磁探测

Ø 对磁敏感的光电探测

Ø 冷原子物理

3.规格参数

型号	THHT-PD-SI-2
参数	符号	测试条件	单位	Min.	Typ.	Max.
正向压降	VF	IF = 5mA,H = 0	V	0.6		0.9
反向暗电流	IR(D)	VR = 10 V	nA		50
响应度	Re	VR = 10 V, λ = 795 nm	A/W		0.52
电容	Ctot	VR = 10 V, f = 1 MHz	pF			15
工作温度			℃	-40		85
存储温度			℃	-40		85
尺寸	单象限，基板外尺寸2.5 x 3.5 mm，芯片外尺寸2.5 x 2.8 mm，光敏面2 x 2 mm
电极	背面（阴极）：金合金，顶面（阳极）：金

4.产品示意图

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产品分类

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